张万里

男，博士，讲师。主要研究方向为铁电薄膜及铁电存储器的制备与性能表征。主持重庆市教委青年项目和重庆市科委面上项目各1项，作为主要完成人参与国家自科基金面上项目2项。提出了一种添加子晶层改善铋层状铁电薄膜电学性能的方法，揭示了与CMOS工艺兼容的HfO₂铁电薄膜在辐射环境下的影响机制。针对90nm的双阱CMOS工艺，提出了一种保护环加N+埋层的加固方法，实现了对PMOS晶体管的抗辐射加固。

在Applied Physics Letters、Physica Status Solidi(RRL)-Rapid Research Letters、IEEE Access等国外著名刊物上发表SCI收录学术论文17余篇，其中一作或通讯10篇。获“华晟经世杯”华西赛区讲课比赛预赛“三等奖”，指导学生获全国电子竞赛重庆赛区二等奖1项。